Enhanced analog switching in Ta2O5/HfO2 bilayer resistive switching device for improved synaptic behavior in neuromorphic computing
Uloženo v:
| Vydáno v: | Current applied physics |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
01.11.2025
|
| ISSN: | 1567-1739 |
| On-line přístup: | Získat plný text |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!