Зависимость характеристик фотоэлемента от температуры

В работе исследуется влияние горячих электронов, дырок и кристаллической решеткина токи p-n-перехода на основе гетероструктур. Анализируются мощность солнечногофотоэлемента, изменения коэффициента заполнения и КПД при различныхтемпературах электронов и дырок, а также их зависимость от сопротивления...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	«Узбекский физический журнал» Jg. 25; H. 2
Hauptverfasser:	Гулямов, Г., Мажидова, Г.Н., Мухитдинова, Ф.Р., Абдулазизов, Б.Т.
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	25.06.2023
ISSN:	1025-8817, 2181-077X
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	В работе исследуется влияние горячих электронов, дырок и кристаллической решеткина токи p-n-перехода на основе гетероструктур. Анализируются мощность солнечногофотоэлемента, изменения коэффициента заполнения и КПД при различныхтемпературах электронов и дырок, а также их зависимость от сопротивления базы исопротивления утечки. Теоретические расчеты сравниваются с экспериментальнымивольтамперными характеристиками (ВАХ), мощностью, коэффициентом заполнения икоэффициентом полезного действия фотоэлемента. Теоретические выводы объясняюфизическую природуэкспериментальных результатов.
ISSN:	1025-8817 2181-077X
DOI:	10.52304/.v25i2.418