Зависимость характеристик фотоэлемента от температуры

В работе исследуется влияние горячих электронов, дырок и кристаллической решеткина токи p-n-перехода на основе гетероструктур. Анализируются мощность солнечногофотоэлемента, изменения коэффициента заполнения и КПД при различныхтемпературах электронов и дырок, а также их зависимость от сопротивления...

Celý popis

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Vydané v:	«Узбекский физический журнал» Ročník 25; číslo 2
Hlavní autori:	Гулямов, Г., Мажидова, Г.Н., Мухитдинова, Ф.Р., Абдулазизов, Б.Т.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	English
Vydavateľské údaje:	25.06.2023
ISSN:	1025-8817, 2181-077X
On-line prístup:	Získať plný text
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

Popis
Shrnutí:	В работе исследуется влияние горячих электронов, дырок и кристаллической решеткина токи p-n-перехода на основе гетероструктур. Анализируются мощность солнечногофотоэлемента, изменения коэффициента заполнения и КПД при различныхтемпературах электронов и дырок, а также их зависимость от сопротивления базы исопротивления утечки. Теоретические расчеты сравниваются с экспериментальнымивольтамперными характеристиками (ВАХ), мощностью, коэффициентом заполнения икоэффициентом полезного действия фотоэлемента. Теоретические выводы объясняюфизическую природуэкспериментальных результатов.
ISSN:	1025-8817 2181-077X
DOI:	10.52304/.v25i2.418