Metallization system as a part of thermal memory

This study aims to substantiate the potential of using “classical” metallization systems as microelectronic thermal memory cells. An experimental simulation is used to demonstrate that thermal information can be stored in memory for a certain time and then read without distortion. The possibility of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Heliyon Jg. 9; H. 5; S. e15797
Hauptverfasser:	Skvortsov, Arkadiy A., Pshonkin, Danila E., Volodina, Olga V., Nikolaev, Vladimir K.
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	England Elsevier Ltd 01.05.2023 Elsevier
Schlagworte:	Contact interaction memory Metal-semiconductor silicon temperature Thermal (phonon) memory Thermal conductivity Thermal (phonon) memory Thermal conductivity DRAM Metal-semiconductor Contact interaction RAM
ISSN:	2405-8440, 2405-8440
Online-Zugang:	Volltext
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