Metallization system as a part of thermal memory

This study aims to substantiate the potential of using “classical” metallization systems as microelectronic thermal memory cells. An experimental simulation is used to demonstrate that thermal information can be stored in memory for a certain time and then read without distortion. The possibility of...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Heliyon Ročník 9; číslo 5; s. e15797
Hlavní autoři:	Skvortsov, Arkadiy A., Pshonkin, Danila E., Volodina, Olga V., Nikolaev, Vladimir K.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	England Elsevier Ltd 01.05.2023 Elsevier
Témata:	Contact interaction memory Metal-semiconductor silicon temperature Thermal (phonon) memory Thermal conductivity Thermal (phonon) memory Thermal conductivity DRAM Metal-semiconductor Contact interaction RAM
ISSN:	2405-8440, 2405-8440
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!