Recent Advances in Doping of Molybdenum Disulfide: Industrial Applications and Future Prospects

Owing to their excellent physical properties, atomically thin layers of molybdenum disulfide (MoS2) have recently attracted much attention due to their nonzero‐gap property, exceptionally high electrical conductivity, good thermal stability, and excellent mechanical strength, etc. MoS2‐based devices...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) Jg. 28; H. 41; S. 9024 - 9059
Hauptverfasser:	Pham, Viet Phuong, Yeom, Geun Young
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Germany Blackwell Publishing Ltd 01.11.2016
Schlagworte:	Communities Crystal structure Doping dry doping Drying industrial applications Molybdenum disulfide MoS2 Optoelectronics possible element doping Strategy Thin films wet doping industrial applications possible element doping MoS2 dry doping wet doping
ISSN:	0935-9648, 1521-4095, 1521-4095
Online-Zugang:	Volltext
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