Optimization of tip material and shape for near-UV TERS in Si structures

High spatial resolution stress mapping of Si device structures is in high demand throughout electronic industry. This problem can be solved by application of the tip‐enhanced Raman scattering (TERS) to Si structures. This work involves searching for a suitable TERS material for the near‐UV spectral...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Journal of Raman spectroscopy Ročník 40; číslo 10; s. 1377 - 1385
Hlavní autoři:	Poborchii, Vladimir, Tada, Tetsuya, Kanayama, Toshihiko, Geshev, Pavel
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Chichester, UK John Wiley & Sons, Ltd 01.10.2009
Témata:	Aluminum Atomic force microscopy Demand Devices Electronics Mapping Searching SERS Silicon stress TERS
ISSN:	0377-0486, 1097-4555
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!