Enhanced third-harmonic generation in Si-compatible epsilon-near-zero indium tin oxide nanolayers
We experimentally demonstrate enhanced third-harmonic generation from indium tin oxide nanolayers at telecommunication wavelengths with an efficiency that is approximately 600 times larger than crystalline silicon (Si). The increased optical nonlinearity of the fabricated nanolayers is driven by the...
Uložené v:
| Vydané v: | Optics letters Ročník 40; číslo 7; s. 1500 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
United States
01.04.2015
|
| ISSN: | 1539-4794, 1539-4794 |
| On-line prístup: | Zistit podrobnosti o prístupe |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!