Temperature induced giant shift of phonon energy in epitaxial boron nitride layers

The recent progress in the growth of large-area boron nitride epilayers opens up new possibilities for future applications. However, it remains largely unclear how weakly attached two-dimensional BN layers interact with their substrate and how their properties are influenced by defects. In this work...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Nanotechnology Ročník 34; číslo 1
Hlavní autoři:	Iwański, J, Tatarczak, P, Tokarczyk, M, Da̧browska, A K, Pawłowski, J, Binder, J, Kowalski, G, Stȩpniewski, R, Wysmołek, A
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	IOP Publishing 01.01.2023
Témata:	defect charged states epitaxial boron nitride FTIR hBN MOVPE phonon
ISSN:	0957-4484, 1361-6528, 1361-6528
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!