Reduced Dislocation Density of an InP/GaAs Virtual Substrate Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Integrating indium phosphide (InP) material on a gallium arsenide (GaAs) substrate to form an InP/GaAs virtual substrate has been an attractive research subject over the past decade. However, the epitaxial growth of InP on GaAs is challenging due to a large mismatch in the lattice constant and therm...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Coatings (Basel) Ročník 12; číslo 6; s. 723
Hlavní autoři:	Tsai, Yu-Li, Wu, Chih-Hung
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Basel MDPI AG 01.06.2022
Témata:	Analysis Annealing Buffers Chemical vapor deposition Computational grids Dislocation density Dislocation mobility Epitaxial growth Epitaxy Gallium arsenide Indium Indium gallium arsenides Indium phosphides Intermetallic compounds Lattice parameters Low temperature Metalorganic chemical vapor deposition Methods Microscopy Misfit dislocations Nucleation Optoelectronic devices Photoluminescence Room temperature Structural analysis Substrates Thermal expansion Threading dislocations Taiwan United States > US
ISSN:	2079-6412, 2079-6412
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!