GaN HEMT reliability

This paper reviews the experimental evidence behind a new failure mechanism recently identified in GaN high-electron mobility transistors subject to electrical stress. Under high voltage, it has been found that electrically active defects are generated in the AlGaN barrier or at its surface in the v...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Microelectronics and reliability Ročník 49; číslo 9; s. 1200 - 1206
Hlavní autoři:	del Alamo, J.A., Joh, J.
Médium:	Journal Article Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Kidlington Elsevier Ltd 01.09.2009 Elsevier
Témata:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Gate current Barrier layer Electric stress Voltage control Failures High electron mobility transistor High voltage Piezoelectric materials Mechanical stress Drain current Parasitic resistance Leakage current Reliability Damaging
ISSN:	0026-2714, 1872-941X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!