Phonon thermal transport and its tunability in GaN for near-junction thermal management of electronics: A review
•Heat dissipation issues at near-junction region of GaN HEMT are reviewed comprehensively.•Phonon transport properties in GaN and GaN nanostructures are discussed based on both computations and experiments.•Phonon transport tuning mechanisms in perspectives of particle, wave, and topological nature...
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| Veröffentlicht in: | International journal of heat and mass transfer Jg. 200; S. 123497 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Journal Article |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Elsevier Ltd
01.01.2023
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| ISSN: | 0017-9310, 1879-2189 |
| Online-Zugang: | Volltext |
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