Phonon thermal transport and its tunability in GaN for near-junction thermal management of electronics: A review
•Heat dissipation issues at near-junction region of GaN HEMT are reviewed comprehensively.•Phonon transport properties in GaN and GaN nanostructures are discussed based on both computations and experiments.•Phonon transport tuning mechanisms in perspectives of particle, wave, and topological nature...
Uložené v:
| Vydané v: | International journal of heat and mass transfer Ročník 200; s. 123497 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Elsevier Ltd
01.01.2023
|
| ISSN: | 0017-9310, 1879-2189 |
| On-line prístup: | Získať plný text |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!