Computer simulation of obtaining thin films of silicon carbide

Silicon carbide films are potential candidates for the development of microsystems with harsh environmental conditions. In this work, the production of high-purity silicon carbide films by the electrolytic method is reproduced in a computer model. Single-layer SiC films were deposited on nickel, cop...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Physical chemistry chemical physics : PCCP Ročník 25; číslo 5; s. 3834
Hlavní autoři:	Galashev, Alexander Y, Abramova, Ksenia A
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	England 01.02.2023
ISSN:	1463-9084, 1463-9084
On-line přístup:	Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!