Computer simulation of obtaining thin films of silicon carbide
Silicon carbide films are potential candidates for the development of microsystems with harsh environmental conditions. In this work, the production of high-purity silicon carbide films by the electrolytic method is reproduced in a computer model. Single-layer SiC films were deposited on nickel, cop...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Physical chemistry chemical physics : PCCP Jg. 25; H. 5; S. 3834 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Journal Article |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
England
01.02.2023
|
| ISSN: | 1463-9084, 1463-9084 |
| Online-Zugang: | Weitere Angaben |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!