The electrothermal impact on a contact metal-semiconductor: applications to the germanium–silver system
Purpose This study aims to examine the electromigration processes resulting from thermal overloads of semiconductor devices. While in operation, parts of such devices can heat up to 330°C for a short period, resulting in the emergence of molten zones and the devices’ inevitable degradation. Therefor...
Uložené v:
| Vydané v: | Microelectronics international Ročník 35; číslo 4; s. 197 - 202 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Bradford
Emerald Publishing Limited
01.10.2018
Emerald Group Publishing Limited |
| Predmet: | |
| ISSN: | 1356-5362, 1758-812X |
| On-line prístup: | Získať plný text |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!