The electrothermal impact on a contact metal-semiconductor: applications to the germanium–silver system

Purpose This study aims to examine the electromigration processes resulting from thermal overloads of semiconductor devices. While in operation, parts of such devices can heat up to 330°C for a short period, resulting in the emergence of molten zones and the devices’ inevitable degradation. Therefor...

Celý popis

Uložené v:
Podrobná bibliografia
Vydané v:Microelectronics international Ročník 35; číslo 4; s. 197 - 202
Hlavní autori: Skvortsov, Arkadiy, Khripach, Nikolay A, Papkin, Boris A, Pshonkin, Danila E
Médium: Journal Article
Jazyk:English
Vydavateľské údaje: Bradford Emerald Publishing Limited 01.10.2018
Emerald Group Publishing Limited
Predmet:
ISSN:1356-5362, 1758-812X
On-line prístup:Získať plný text
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!
Najprv sa musíte prihlásiť.