Parameter extraction method for universal amorphous silicon thin-film transistors simulation program with integrated circuit emphasis model
The universal simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model for hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor is largely used in circuit simulation. This model has more than 10 parameters to be extracted through experimental data, and the optimal method to determine them is...
Uložené v:
| Vydané v: | IET circuits, devices & systems Ročník 6; číslo 2; s. 118 - 121 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
Stevenage
John Wiley & Sons, Inc
01.03.2012
|
| Predmet: | |
| ISSN: | 1751-858X, 1751-8598 |
| On-line prístup: | Získať plný text |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!