Optimizing Write Fidelity of MRAMs by Alternating Water-Filling Algorithm
Magnetic random-access memory (MRAM) is a promising memory technology due to its high density, non-volatility, and high endurance. However, achieving high memory fidelity incurs high write-energy costs, which should be reduced for large-scale deployment of MRAMs. In this paper, we formulate a biconv...
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| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on communications Jg. 70; H. 9; S. 5825 - 5836 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Journal Article |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
New York
IEEE
01.09.2022
The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE) |
| Schlagworte: | |
| ISSN: | 0090-6778, 1558-0857 |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
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