Effects of Breakdown Voltage on Single-Event Burnout Tolerance of High-Voltage SiC Power MOSFETs

Ion- and terrestrial neutron-induced single-event burnout (SEB) data indicate that a thicker, more lightly doped epitaxial (epi) region significantly increases the threshold at which ion-induced SEB occurs in silicon carbide (SiC) power MOSFETs and junction barrier Schottky (JBS) diodes. Simulations...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	IEEE transactions on nuclear science Ročník 68; číslo 7; s. 1430 - 1435
Hlavní autoři:	Ball, D. R., Galloway, K. F., Johnson, R. A., Alles, M. L., Sternberg, A. L., Witulski, A. F., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Hutson, J. M., Lauenstein, J.-M.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	New York IEEE 01.07.2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)
Témata:	Breakdown Burnout Circuit design Density measurement Diode Doping Epitaxial growth heavy ion Ions MOSFET MOSFETs power Power system measurements Schottky diodes Silicon carbide silicon carbide (SiC) single-event burnout (SEB) Voltage
ISSN:	0018-9499, 1558-1578
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!