All‐Electrical Programmable Domain‐Wall Spin Logic‐In‐Memory Device

Control of spins by spin–orbit torque brings novel strategies to design spintronic devices with potentially high impact in data storage and logic‐in‐memory computing architectures. Although various attempts have been proposed to avoid the participation of magnetic field during magnetization switchin...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Advanced electronic materials Ročník 8; číslo 10
Hlavní autoři:	Wang, Weiyang, Sheng, Yu, Zheng, Yuanhui, Ji, Yang, Wang, Kaiyou
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	01.10.2022
Témata:	domain walls Dzyaloshinskii–Moriya interactions field‐free switching spin logic‐in‐memory spin–orbit torque
ISSN:	2199-160X, 2199-160X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!