3D Parallel Monte Carlo Simulation of GaAs MESFETs

We have investigated three‐dimensional (3D) effects in sub‐micron GaAs MESFETs using a parallel Monte Carlo device simulator, PMC‐3D [1]. The parallel algorithm couples a standard Monte Carlo particle simulator for the Boltzmann equation with a 3D Poisson solver using spatial decomposition of the de...

Celý popis

Podrobná bibliografia

Vydané v:	VLSI design (Yverdon, Switzerland) Ročník 6; číslo 1-4; s. 273 - 276
Hlavní autori:	Pennathur, S., Sandalci, Can K., Koç, Çetin K., Goodnick, S. M.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	English
Vydavateľské údaje:	01.01.1998
ISSN:	1065-514X, 1563-5171
On-line prístup:	Získať plný text
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!