Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nature photonics Jg. 2; H. 2; S. 77 - 84
Hauptverfasser: Khan, Asif, Balakrishnan, Krishnan, Katona, Tom
Format: Journal Article
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: London Nature Publishing Group 01.02.2008
Schlagworte:
Applied sciences
Electronics
Exact sciences and technology
Optoelectronic devices
Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Crystal growth
Aluminium Nitrides
Nitrides
Gallium Nitrides
Ultraviolet radiation
Quantum confined Stark effect
Quantum yield
Light emitting diode
ISSN:1749-4885, 1749-4893
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
ISSN:1749-4885
1749-4893
DOI:10.1038/nphoton.2007.293