Atomic-Level Insights into the Radiation Damage and Recovery of β-Ga2O3 for High-performance Semiconductors
Uložené v:
| Vydané v: | Microscopy and microanalysis Ročník 29; číslo Supplement_1; s. 1472 |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , , , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
England
22.07.2023
|
| ISSN: | 1435-8115 |
| On-line prístup: | Zistit podrobnosti o prístupe |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!