Atomic-Level Insights into the Radiation Damage and Recovery of β-Ga2O3 for High-performance Semiconductors

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Microscopy and microanalysis Ročník 29; číslo Supplement_1; s. 1472
Hlavní autoři: Huang, Hsien-Lien, Chae, Christopher, Johnson, Jared M, Senckowski, Alexander, Sharma, Shivam, Singisetti, Uttam, Wong, Man Hoi, Hwang, Jinwoo
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: England 22.07.2023
ISSN:1435-8115
On-line přístup:Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Popis
ISSN:1435-8115
DOI:10.1093/micmic/ozad067.756