Fabrication of a solution-processed IGZO/NiO p-n diode

The fabrication of a p-n diode is investigated using a fully solution-processed method. Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) ink was synthesized and deposited on a quartz substrate and annealed to form a thin film serving as an n-type semiconductor. A facile sol-gel method was used to deposit a lithium...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Scientia Iranica. Transaction D, Computer science & engineering, electrical engineering Ročník 31; číslo 21; s. 1963 - 1970
Hlavní autoři:	Arjmandi, Nima, Seraj, Mohammad
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Tehran Sharif University of Technology 01.11.2024
Témata:	Acids Annealing Carrier density Chloride Cost control Diodes Fabrication Gallium Hexagons Indium Indium gallium zinc oxide Lithium Mobility Morphology N-type semiconductors Nickel Nickel oxides P-type semiconductors Pore size Scanning electron microscopy Silver Sol-gel processes Solvents Substrates Thin films X-ray diffraction Zinc oxide Zinc oxides
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!