Integration of Non‐Volatile Multi‐Bit Storage and Logic Computing in GaN Enhancement‐Mode Devices for In‐Memory Computing

Silicon‐based in‐memory computing, through seamless integration of computation and storage capabilities, offers a promising solution to the data transfer bottlenecks inherent in traditional von Neumann architectures, addressing the growing demands of big data and artificial intelligence applications...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced functional materials
Hauptverfasser:	Yu, Hao, Liu, Huangbai, Li, Lei, Duan, Xinqing, Peng, Zehui, Lu, Lei, Lin, Xinnan, Chang, Kuan‐Chang
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	28.08.2025
ISSN:	1616-301X, 1616-3028
Online-Zugang:	Volltext
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