Dynamic reliability management for near-threshold dark silicon processors

In this article, we propose a new dynamic reliability management (DRM) techniques at the system level for emerging low power dark silicon manycore microprocessors operating in near-threshold region. We mainly consider the electromigration (EM) failures. To leverage the EM recovery effects, which was...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Digest of technical papers - IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design s. 1 - 7
Hlavní autoři:	Taeyoung Kim, Zeyu Sun, Cook, Chase, Gaddipati, Jagadeesh, Hai Wang, Haibao Chen, Tan, Sheldon X.-D
Médium:	Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	ACM 01.11.2016
Témata:	Computational modeling Current density Mathematical model Reliability Silicon Stress Wires
ISSN:	1558-2434
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!