Exploiting ferroelectric FETs for low-power non-volatile logic-in-memory circuits

Numerous research efforts are targeting new devices that could continue performance scaling trends associated with Moore's Law and/or accomplish computational tasks with less energy. One such device is the ferroelectric FET (FeFET), which offers the potential to be scaled beyond the end of the...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Digest of technical papers - IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design S. 1 - 8
Hauptverfasser:	Xunzhao Yin, Aziz, Ahmedullah, Nahas, Joseph, Datta, Suman, Gupta, Sumeet, Niemier, Michael, Xiaobo Sharon Hu
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	ACM 01.11.2016
Schlagworte:	Capacitance Hysteresis Iron Magnetic tunneling Mathematical model MOSFET
ISSN:	1558-2434
Online-Zugang:	Volltext
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