Simulation-based reusable posynomial models for MOS transistor parameters

We present an algorithm to automatically design posynomial models for parameters of the MOS transistors using simulation data. These models improve the accuracy of the Geometric Programming flow for automatic circuit sizing. The models are reusable for multiple circuits on a given Silicon technology...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Proceedings of the conference on Design, automation and test in Europe s. 69 - 74
Hlavní autoři: Aggarwal, Varun, O'Reilly, Una-May
Médium: Konferenční příspěvek
Jazyk:angličtina
Vydáno: San Jose, CA, USA EDA Consortium 16.04.2007
Edice:ACM Conferences
Témata:
Information systems
Information systems > Data management systems
Information systems > Data management systems > Database administration
Information systems > Data management systems > Database administration > Data dictionaries
Theory of computation
Theory of computation > Design and analysis of algorithms
Theory of computation > Design and analysis of algorithms > Mathematical optimization
ISBN:3981080122, 9783981080124
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.