Методы атомно-силовой микроскопии и профилометрии в исследовании фрактальной неоднородности запечатываемых поверхностей
Saved in:
| Title: | Методы атомно-силовой микроскопии и профилометрии в исследовании фрактальной неоднородности запечатываемых поверхностей |
|---|---|
| Publisher Information: | БГТУ, 2024. |
| Publication Year: | 2024 |
| Subject Terms: | микроструктура бумаги, качество печатной продукции, атомно-силовая микроскопия, шероховатость, фрактальная размерность, профилометрия |
| Description: | В статье представлен сравнительный анализ методов атомно-силовой микроскопии и профилометрии в исследовании фрактальной неоднородности запечатываемых материалов. С помощью сканирующего зондового микроскопа Solver HV, работающего в полуконтактном режиме, и профилометра-профилографа Hommel Tester T1000 получены профилограммы рельефа поверхности образцов бумаги. В качестве объекта исследования выступали четыре образца бумаги с различным композиционным составом. Приведены параметры шероховатости поверхности образцов бумаги, полученные с помощью атомно-силового микроскопа и профилометра, а также рассчитаны фрактальные размерности структуры бумаги. Применяемые методы исследования позволяют в равной мере использовать их для оценки стохастической структуры запечатываемых поверхностей, хотя метод атомно-силовой микроскопии является более точным, в то время как профилометр передает только общий контур рельефа. При использовании атомно-силовой микроскопии более точные результаты обеспечивает топографическое изображение поверхности образцов бумаги для кадра 3500 нм. Применяемые подходы позволяют учесть вклад структуры материала в распределение красочного слоя, что в конечном итоге окажет влияние на качество печатной продукции |
| Document Type: | Article |
| File Description: | application/pdf |
| Language: | Russian |
| DOI: | 10.52065/2520-6729-2024-279-1 |
| Access URL: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/64574 |
| Accession Number: | edsair.od......3992..c7bf7d10f2f79c339f10f18a5a142c07 |
| Database: | OpenAIRE |
Nájsť tento článok vo Web of Science Be the first to leave a comment!