In EDS ansehen

ФОРМИРОВАНИЕ ЗАЩИТНОЙ УГЛЕРОДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПО-ВЕРХНОСТИ ГРАФЕНА МЕТОДОМ ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ И ТЕРМООБРАБОТКИ

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Titel: ФОРМИРОВАНИЕ ЗАЩИТНОЙ УГЛЕРОДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПО-ВЕРХНОСТИ ГРАФЕНА МЕТОДОМ ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ И ТЕРМООБРАБОТКИ
Quelle: Ползуновский вестник, Iss 1 (2025)
Verlagsinformationen: Altai State Technical University, 2025.
Publikationsjahr: 2025
Schlagwörter: Technology, графен, плазма, метан, осаждение углерода, углеродная пленка, термообработка, травление в плазме кислорода, морфология поверхности
Beschreibung: Предложена методика формирования защитного углеродного слоя для графеновых пленок на основе двухстадийного процесса, включающего осаждение атомов углерода в плазме метана и термообработку. Для осаждения атомов углерода использован радиочастотный индуктивно связанный источник плазмы мощностью 200 Вт. Длительность процесса осаждения в плазме метана составляло от 3 до 6 мин. Термообработки проведены в атмосфере инертного газа при температурах от 750 оС до 800 оС длительностью до 25 мин. Для характеризации поверхности использованы методы атомной силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Исследования методом атомно-силовой микроскопии показали, что предложенная методика позволяет успешно формировать углеродные пленки толщиной несколько десятков нанометров на поверхности исходной графеновой пленки, полученной методом газофазового осаждения. После травления в плазме кислорода мощностью 200 Вт и длительностью до 30 с синтезированнной структуры формируются пленки нанометровых толщин с шероховатостью поверхности около 0,5 нм. Наблюдаемые в исходной графеновой пленке складки высотой от единиц до десятков нанометров на поверхности сформированных образцов не обнаружены. Из анализа спектров комбинационного рассеяния света следует, что после травления в плазме кислорода синтезированных структур до исходных толщин графеновых пленок имеет место восстановление основных графеновых G- и 2D-пиков в спектрах. Можно отметить некоторое возрастание интегральной интенсивности D-полосы, обусловленной наличием дефектов и нарушений в кристаллической решетке, которое частично может быть устранено термической обработкой.
Publikationsart: Article
Sprache: Russian
ISSN: 2072-8921
DOI: 10.25712/astu.2072-8921.2025.01.032
Zugangs-URL: https://doaj.org/article/4d446bbaebe04869b204f7e7f16ffdcc
Dokumentencode: edsair.doi.dedup.....6c2645aabeadc870ca087fad49f5bee5
Datenbank: OpenAIRE
Beschreibung
Abstract:Предложена методика формирования защитного углеродного слоя для графеновых пленок на основе двухстадийного процесса, включающего осаждение атомов углерода в плазме метана и термообработку. Для осаждения атомов углерода использован радиочастотный индуктивно связанный источник плазмы мощностью 200 Вт. Длительность процесса осаждения в плазме метана составляло от 3 до 6 мин. Термообработки проведены в атмосфере инертного газа при температурах от 750 оС до 800 оС длительностью до 25 мин. Для характеризации поверхности использованы методы атомной силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Исследования методом атомно-силовой микроскопии показали, что предложенная методика позволяет успешно формировать углеродные пленки толщиной несколько десятков нанометров на поверхности исходной графеновой пленки, полученной методом газофазового осаждения. После травления в плазме кислорода мощностью 200 Вт и длительностью до 30 с синтезированнной структуры формируются пленки нанометровых толщин с шероховатостью поверхности около 0,5 нм. Наблюдаемые в исходной графеновой пленке складки высотой от единиц до десятков нанометров на поверхности сформированных образцов не обнаружены. Из анализа спектров комбинационного рассеяния света следует, что после травления в плазме кислорода синтезированных структур до исходных толщин графеновых пленок имеет место восстановление основных графеновых G- и 2D-пиков в спектрах. Можно отметить некоторое возрастание интегральной интенсивности D-полосы, обусловленной наличием дефектов и нарушений в кристаллической решетке, которое частично может быть устранено термической обработкой.
ISSN:20728921
DOI:10.25712/astu.2072-8921.2025.01.032