Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs
Uloženo v:
| Název: | Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs |
|---|---|
| Autoři: | Kirilenko, Iaroslav, Ruzhevich, Maxim, Romanov, Viacheslav, Moiseev, Konstantin, Dorogov, Maksim, Tomkovich, Mariia, Firsov, Dmitrii, Chumanov, Ivan, Komkov, Oleg, Mynbaev, Karim |
| Informace o vydavateli: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2025. |
| Rok vydání: | 2025 |
| Témata: | гетероструктуры, solid solutions, heterostructures, InAsSbP, chemical composition, photoluminescence, химический состав, фотолюминесценция, твердые растворы |
| Popis: | Energy-dispersive X-ray spectroscopy, optical reflectance and photoluminescence were used to study the properties of InAsSbP barrier layers in InAsSb/InAsSbP heterostructures (HSs) and their effect on the performance of HSs. A deviation of the chem-ical composition of the layers from the specified value and acceptor-like states in their bandgap were found. These features defined the nature of radiative transitions in the HSs. Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС. |
| Druh dokumentu: | Conference object |
| Jazyk: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.181.118 |
| Přístupové číslo: | edsair.doi...........a7120fd7e20b5750c1c57d6e5201e216 |
| Databáze: | OpenAIRE |
Nájsť tento článok vo Web of Science | Abstrakt: | Energy-dispersive X-ray spectroscopy, optical reflectance and photoluminescence were used to study the properties of InAsSbP barrier layers in InAsSb/InAsSbP heterostructures (HSs) and their effect on the performance of HSs. A deviation of the chem-ical composition of the layers from the specified value and acceptor-like states in their bandgap were found. These features defined the nature of radiative transitions in the HSs.<br />Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС. |
|---|---|
| DOI: | 10.18721/jpm.181.118 |