Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Titel: Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs
Autoren: Kirilenko, Iaroslav, Ruzhevich, Maxim, Romanov, Viacheslav, Moiseev, Konstantin, Dorogov, Maksim, Tomkovich, Mariia, Firsov, Dmitrii, Chumanov, Ivan, Komkov, Oleg, Mynbaev, Karim
Verlagsinformationen: St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2025.
Publikationsjahr: 2025
Schlagwörter: гетероструктуры, solid solutions, heterostructures, InAsSbP, chemical composition, photoluminescence, химический состав, фотолюминесценция, твердые растворы
Beschreibung: Energy-dispersive X-ray spectroscopy, optical reflectance and photoluminescence were used to study the properties of InAsSbP barrier layers in InAsSb/InAsSbP heterostructures (HSs) and their effect on the performance of HSs. A deviation of the chem-ical composition of the layers from the specified value and acceptor-like states in their bandgap were found. These features defined the nature of radiative transitions in the HSs.
Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС.
Publikationsart: Conference object
Sprache: English
DOI: 10.18721/jpm.181.118
Dokumentencode: edsair.doi...........a7120fd7e20b5750c1c57d6e5201e216
Datenbank: OpenAIRE
Beschreibung
Abstract:Energy-dispersive X-ray spectroscopy, optical reflectance and photoluminescence were used to study the properties of InAsSbP barrier layers in InAsSb/InAsSbP heterostructures (HSs) and their effect on the performance of HSs. A deviation of the chem-ical composition of the layers from the specified value and acceptor-like states in their bandgap were found. These features defined the nature of radiative transitions in the HSs.<br />Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС.
DOI:10.18721/jpm.181.118