Filamentary TaOx/HfO2 ReRAM Devices for Neural Networks Training with Analog In‐Memory Computing

The in‐memory computing paradigm aims at overcoming the intrinsic inefficiencies of Von‐Neumann computers by reducing the data‐transport per arithmetic operation. Crossbar arrays of multilevel memristive devices enable efficient calculations of matrix‐vector‐multiplications, an operation extensively...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Advanced electronic materials Ročník 8; číslo 10
Hlavní autoři:	Stecconi, Tommaso, Guido, Roberto, Berchialla, Luca, La Porta, Antonio, Weiss, Jonas, Popoff, Youri, Halter, Mattia, Sousa, Marilyne, Horst, Folkert, Dávila, Diana, Drechsler, Ute, Dittmann, Regina, Offrein, Bert Jan, Bragaglia, Valeria
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	01.10.2022
Témata:	analog memory artificial synapses HfO 2 resistive random‐access memory TaO x
ISSN:	2199-160X, 2199-160X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!