A conductive channel size comparison of silicon dielectric and amorphous silicon antifuses

The physical size of an antifuse conductive channel is determined through the electrical characterization by using sidewall antifuse structures. The relationship of a programmed 'ON' antifuse conductive channel size as a function of the programming current is established for both metal-met...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	1993 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications Proceedings of Technical Papers s. 165 - 167
Hlavní autor:	Chen, K.-L.
Médium:	Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	IEEE 1993
Témata:	Amorphous silicon Conductivity measurement Current measurement Dielectrics Electrical resistance measurement Functional programming Instruments Kelvin Layout Logic arrays
ISBN:	0780309782, 9780780309784
ISSN:	1524-766X
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!