Ferroelectric field-effect transistors based on HfO2: a review

In this article, we review the recent progress of ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) based on ferroelectric hafnium oxide (HfO2), ten years after the first report on such a device. With a focus on the use of FeFET for nonvolatile memory application, we discuss its basic operation princi...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Nanotechnology Ročník 32; číslo 50
Hlavní autoři:	Mulaosmanovic, Halid, Breyer, Evelyn T, Dünkel, Stefan, Beyer, Sven, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	10.12.2021
ISSN:	1361-6528, 1361-6528
On-line přístup:	Zjistit podrobnosti o přístupu
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!