3D modeling based on current continuity for STM carrier profiling of semiconductor devices

Current continuity based 3D modeling of STM carrier profiling of semiconductor devices is achieved for the first time. Tunnel currents between probe tip and devices are solved consistently with current continuity consideration. It is revealed that tunnel current is reduced in current continuity mode...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices s. 259 - 262
Hlavní autoři:	Fukuda, K., Nishizawa, M., Tada, T., Bolotov, L., Suzuki, K., Sato, S., Arimoto, H., Kanayama, T.
Médium:	Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina japonština
Vydáno:	IEEE 01.09.2011
Témata:	Electric potential Junctions Probes Semiconductor device measurement Semiconductor process modeling Three dimensional displays Tunneling
ISBN:	9781612844190, 1612844197
ISSN:	1946-1569
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!