Polycrystalline silicon films formation on foreign substrates by a rapid thermal-CVD technique

Deposition of polycrystalline silicon films on foreign substrates, such as silicon dioxide, graphite, alumina and mullite, was performed by means of a lamps heating-assisted CVD technique. We employed a cold wall reactor with a high temperature hydrogen reduction of trichlorosilane (SiHCl/sub 3/) as...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Conference Record of the Twenty Sixth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1997 s. 627 - 630
Hlavní autoři:	Slaoui, A., Monna, R., Angermeier, D., Bourdais, S., Muller, J.C.
Médium:	Konferenční příspěvek
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	IEEE 01.01.1997
Témata:	Epitaxial growth Grain size Hydrogen Inductors Semiconductor films Semiconductor thin films Silicon Substrates Surface morphology Temperature
ISBN:	9780780337671, 0780337670
ISSN:	0160-8371
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!