Enhanced analog switching in Ta2O5/HfO2 bilayer resistive switching device for improved synaptic behavior in neuromorphic computing

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Current applied physics
Hlavní autoři: Noh, Taehee, Kim, Cheol Jun, Lee, Jae Yeob, Ku, Minkyung, Kim, Tae Hoon, Kang, Minu, Seong, Hyeon Su, Kang, Seung Jin, Kang, Bo Soo
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: 01.11.2025
ISSN:1567-1739
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Popis
ISSN:1567-1739
DOI:10.1016/j.cap.2025.11.006