Enhanced analog switching in Ta2O5/HfO2 bilayer resistive switching device for improved synaptic behavior in neuromorphic computing
Uložené v:
| Vydané v: | Current applied physics |
|---|---|
| Hlavní autori: | , , , , , , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | English |
| Vydavateľské údaje: |
01.11.2025
|
| ISSN: | 1567-1739 |
| On-line prístup: | Získať plný text |
| Tagy: |
Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!