Зависимость характеристик фотоэлемента от температуры - Гулямов, Г.; Мажидова, Г.Н.; Мухитдинова, Ф.Р.; Абдулазизов, Б.Т. («Узбекский физический журнал», 2023)
В работе исследуется влияние горячих электронов, дырок и кристаллической решеткина токи p-n-перехода на основе гетероструктур. Анализируются мощность солнечногофотоэлемента, изменения коэффициента заполнения и КПД при различныхтемпературах электронов и дырок, а также их зависимость от сопротивления базы исопротивления утечки. Теоретические расчеты сравниваются с экспериментальнымивольтамперными характеристиками (ВАХ), мощностью, коэффициентом заполнения икоэффициентом полезного действия фотоэлемента. Теоретические выводы объясняюфизическую природуэкспериментальных результатов.