Efficiency droop in nitride-based light-emitting diodes

Nitride‐based light‐emitting diodes (LEDs) suffer from a reduction (droop) of the internal quantum efficiency with increasing injection current. This droop phenomenon is currently the subject of intense research worldwide, as it delays general lighting applications of GaN‐based LEDs. Several explana...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Ročník 207; číslo 10; s. 2217 - 2225
Hlavní autor:	Piprek, Joachim
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Berlin WILEY-VCH Verlag 01.10.2010 WILEY‐VCH Verlag Wiley-VCH
Témata:	Applied sciences Auger recombination efficiency droop Electronics Exact sciences and technology GaN light-emitting diodes Optoelectronic devices quantum efficiency Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Band structure Electron-hole recombination Spontaneous emission Radiative recombination Defect Mathematical model Quantum yield Gallium nitride Auger recombination Light emitting diode
ISSN:	1862-6300, 1862-6319
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!