Carrier Transport Properties of p-Type Silicon–Metal Silicide Nanocrystal Composite Films

In this study, we synthesized p -type nanocomposite films consisting of Si–nickel silicide and Si–molybdenum silicide nanocrystals and measured the temperature dependence of their electrical properties. To evaluate grain boundary potential barrier height, we developed a theoretical model taking into...

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Veröffentlicht in:Journal of electronic materials Jg. 44; H. 6; S. 2074 - 2079
Hauptverfasser: Ohishi, Yuji, Miyazaki, Yoshinobu, Muta, Hiroaki, Kurosaki, Ken, Yamanaka, Shinsuke, Uchida, Noriyuki, Tada, Tetsuya
Format: Journal Article
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: New York Springer US 01.06.2015
Springer Nature B.V
Schlagworte:
ISSN:0361-5235, 1543-186X
Online-Zugang:Volltext
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