Carrier Transport Properties of p-Type Silicon–Metal Silicide Nanocrystal Composite Films

In this study, we synthesized p -type nanocomposite films consisting of Si–nickel silicide and Si–molybdenum silicide nanocrystals and measured the temperature dependence of their electrical properties. To evaluate grain boundary potential barrier height, we developed a theoretical model taking into...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Journal of electronic materials Ročník 44; číslo 6; s. 2074 - 2079
Hlavní autoři: Ohishi, Yuji, Miyazaki, Yoshinobu, Muta, Hiroaki, Kurosaki, Ken, Yamanaka, Shinsuke, Uchida, Noriyuki, Tada, Tetsuya
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: New York Springer US 01.06.2015
Springer Nature B.V
Témata:
ISSN:0361-5235, 1543-186X
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.