Interface properties of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells from admittance spectroscopy

The capabilities of admittance spectroscopy, in particular the dependences of the admittance upon frequency, temperature and applied bias, for the investigation of a-Si:H/c-Si heterojunctions are presented. Experimental results and results from a numerical modelling are described for n-type a-Si:H/p...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Thin solid films Ročník 511; číslo Complete; s. 385 - 389
Hlavní autoři:	Gudovskikh, A.S., Kleider, J.-P., Damon-Lacoste, J., Roca i Cabarrocas, P., Veschetti, Y., Muller, J.-C., Ribeyron, P.-J., Rolland, E.
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Elsevier B.V 26.07.2006 Elsevier
Témata:	Capacitance technique Heterojunction Solar cells Solar cells Capacitance technique Heterojunction
ISSN:	0040-6090, 1879-2731
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!