Ultraviolet Optoelectronic Synapse Based on AlScN/p‐i‐n GaN Heterojunction for Advanced Artificial Vision Systems

Ferroelectric materials represent a frontier in semiconductor research, offering the potential for novel optoelectronics. AlScN material is a kind of outstanding ferroelectric semiconductor with strong residual polarization, high Curie temperature, and mainstream semiconductor fabrication compatibil...

Celý popis

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Vydáno v:	Advanced materials (Weinheim) Ročník 37; číslo 19; s. e2419316 - n/a
Hlavní autoři:	Xie, Zhiwei, Jiang, Ke, Zhang, Shanli, Wang, Zhongqiang, Shan, Xuanyu, Wang, Bingxiang, Ben, Jianwei, Liu, Mingrui, Lv, Shunpeng, Chen, Yang, Jia, Yuping, Sun, Xiaojuan, Li, Dabing
Médium:	Journal Article
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Germany Wiley Subscription Services, Inc 01.05.2025
Témata:	AlScN Artificial vision Curie temperature Ferroelectric materials Ferroelectricity Gallium nitrides Heterojunctions image sensing and preprocessing in‐memory computing memristor Optoelectronics Semiconductor research ultraviolet optoelectronic synapse Vision systems in‐memory computing AlScN ultraviolet optoelectronic synapse image sensing and preprocessing memristor
ISSN:	0935-9648, 1521-4095, 1521-4095
On-line přístup:	Získat plný text
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!