True-Damage-Aware Enumerative Coding for Improving nand Flash Memory Endurance

This brief presents a technique that can fully exploit the data dependency of flash memory cell damage to improve the program/erase (P/E) cycling endurance of nand flash memory. The key is to opportunistically leverage data lossless compressibility and utilize the compression gain to realize memory-...

Celý popis

Uložené v:
Podrobná bibliografia
Vydané v:IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems Ročník 23; číslo 6; s. 1165 - 1169
Hlavní autori: Li, Jiangpeng, Zhao, Kai, Ma, Jun, Zhang, Tong
Médium: Journal Article
Jazyk:English
Vydavateľské údaje: IEEE 01.06.2015
Predmet:
ISSN:1063-8210, 1557-9999
On-line prístup:Získať plný text
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
Buďte prvý, kto okomentuje tento záznam!
Najprv sa musíte prihlásiť.