True-Damage-Aware Enumerative Coding for Improving nand Flash Memory Endurance
This brief presents a technique that can fully exploit the data dependency of flash memory cell damage to improve the program/erase (P/E) cycling endurance of nand flash memory. The key is to opportunistically leverage data lossless compressibility and utilize the compression gain to realize memory-...
Uloženo v:
| Vydáno v: | IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems Ročník 23; číslo 6; s. 1165 - 1169 |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , |
| Médium: | Journal Article |
| Jazyk: | angličtina |
| Vydáno: |
IEEE
01.06.2015
|
| Témata: | |
| ISSN: | 1063-8210, 1557-9999 |
| On-line přístup: | Získat plný text |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!