True-Damage-Aware Enumerative Coding for Improving nand Flash Memory Endurance

This brief presents a technique that can fully exploit the data dependency of flash memory cell damage to improve the program/erase (P/E) cycling endurance of nand flash memory. The key is to opportunistically leverage data lossless compressibility and utilize the compression gain to realize memory-...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems Ročník 23; číslo 6; s. 1165 - 1169
Hlavní autoři: Li, Jiangpeng, Zhao, Kai, Ma, Jun, Zhang, Tong
Médium: Journal Article
Jazyk:angličtina
Vydáno: IEEE 01.06.2015
Témata:
ISSN:1063-8210, 1557-9999
On-line přístup:Získat plný text
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.