Optimization of tip material and shape for near-UV TERS in Si structures

High spatial resolution stress mapping of Si device structures is in high demand throughout electronic industry. This problem can be solved by application of the tip‐enhanced Raman scattering (TERS) to Si structures. This work involves searching for a suitable TERS material for the near‐UV spectral...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of Raman spectroscopy Jg. 40; H. 10; S. 1377 - 1385
Hauptverfasser:	Poborchii, Vladimir, Tada, Tetsuya, Kanayama, Toshihiko, Geshev, Pavel
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Chichester, UK John Wiley & Sons, Ltd 01.10.2009
Schlagworte:	Aluminum Atomic force microscopy Demand Devices Electronics Mapping Searching SERS Silicon stress TERS
ISSN:	0377-0486, 1097-4555
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!