Enhanced third-harmonic generation in Si-compatible epsilon-near-zero indium tin oxide nanolayers

We experimentally demonstrate enhanced third-harmonic generation from indium tin oxide nanolayers at telecommunication wavelengths with an efficiency that is approximately 600 times larger than crystalline silicon (Si). The increased optical nonlinearity of the fabricated nanolayers is driven by the...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optics letters Jg. 40; H. 7; S. 1500
Hauptverfasser:	Capretti, Antonio, Wang, Yu, Engheta, Nader, Dal Negro, Luca
Format:	Journal Article
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	United States 01.04.2015
ISSN:	1539-4794, 1539-4794
Online-Zugang:	Weitere Angaben
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